Энергонезависимая MRAM память; 4 Mbit (512Kx8); SPI;
Ресурс: 10^8 циклов чтения/записи;
Хранение информации: 20 лет;
Максимальная скорость обмена: 50МГц;
Интерфейс: SPI;
Напряжение питания: 2.7...3.6В;
Энергопотребление: Sleep current 2uA (Typical value);
Standby current 2mA (Typical value);
Active current 4.3mA (Typical value @SPI 50MHz);
Диапазон температур: -40...+85;